日前外媒報(bào)導(dǎo)，北卡羅萊納州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個數(shù)量級缺陷，來提高led發(fā)光材料的質(zhì)量的新技術(shù)。

　　研究人員介紹，通過該技術(shù)，相同的輸入電能能夠多產(chǎn)生2倍的輸出光能，對于低電能輸入和紫外發(fā)光范圍的LED而言，這種增長非常可觀。

　　LED照明主要依賴于氮化鎵薄膜的發(fā)光二極管，研究人員將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬，0.5微米的空間間隙，之后發(fā)現(xiàn)，許多缺陷會被吸引并困在這些空隙空間里。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此，他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間后，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。如果沒有這個空隙技術(shù)，每平方厘米的氮化鎵薄膜將會有大約1010個缺陷。然而使用了這個技術(shù)后，每平方厘米的缺陷將會降到大約107.以此可制造出更高質(zhì)量、更有效的發(fā)光二極管。