倒裝晶片所需具備的條件：

基材材是硅； 　　②電氣面及焊凸在元件下表面； ③組裝在基板后需要做底部填充。

倒裝晶片的定義：

其實倒裝晶片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言 的。傳統的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉過來， 故稱其為“倒裝晶片”。

倒裝芯片的實質是在傳統工藝的基礎上，將芯片的發光區與電極區不設計在同一個平面這時則由電極區面朝向燈杯底部進行貼裝，可以省掉焊線這一工序，但是對固晶這段工藝的精度要求較高，一般很難達到較高的良率。

倒裝芯片與與傳統工藝相比所具備的優勢：

通過MOCVD技術在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P/N結髮光區發出的光透過上面的P型區射出。由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaN LED倒裝芯片的結構可以從根本上消除上面的問題。

倒裝LED芯片技術行業應用分析：

近年，世界各國如歐洲各國、美國、日本、韓國和中國等皆有LED照明相關項目推行。其中，以我國所推廣的“十城萬盞”計劃最為矚目。路燈是城市照明不可缺少的一部分，傳統路燈通常采用高壓鈉燈或金鹵燈，這兩種光源最大的特點是發光的電弧管尺寸小，可以產生很大的光輸出，并且具有很高的光效。但這類光源應用在道路燈具中，只有約40%的光直接通過玻璃罩到達路面，60%的光通過燈具反射器反射后再從燈具中射出。因此目前傳統燈具基本存在兩個不足，一是燈具直接照射的方向上照度很高，在次干道可達到50Lx以上，這一區域屬明顯的過度照明， 而兩個燈具的光照交叉處的照度僅為燈下中心位置的照度的20%-40%，光分布均勻度低；二是此類燈具的反射器效率一般僅為50%-60%，因此在反射過程中有大量的光損失，所以傳統高壓鈉燈或金鹵燈路燈總體效率在70-80%，均勻度低，且有照度的過度浪費。另外，高壓鈉燈和金鹵燈使用壽命通常小于6000小時，且顯色指數小于30；LED有著高效、節能、壽命長(5萬小時)、環保、顯色指數高(>75)等顯著優點，如何有效的將LED應用在道路照明上成為了LED及路燈廠家現時最熱門的話題。一般而言，根據路燈的使用環境對LED的光學設計、壽命保障、防塵和防水能力、散熱處理、光效等方面均有嚴格的要求。作為LED路燈的核心，LED芯片的制造技術和對應的封裝技術共同決定了LED未來在照明領域的應用前景。

1) LED芯片的發光效率提升

LED芯片發光效率的提高決定著未來LED路燈的節能能力，隨著外延生長技術和多量子阱結構的發展，外延片的內量子效率已有很大提高。要如何滿足路燈使用的標準，很大程度上取決于如何從芯片中用最少的功率提取最多的光，簡單而言，就是降低驅動電壓，提高光強。傳統正裝結構的LED芯片，一般需要在p-GaN上鍍一層半透明的導電層使電流分布更均勻，而這一導電層會對LED發出的光產生部分吸收，而且p電極會遮擋住部分光，這就限制了LED芯片的出光效率。而采用倒裝結構的LED芯片，不但可以同時避開P電極上導電層吸收光和電極墊遮光的問題，還可以通過在p-GaN表面設置低歐姆接觸的反光層來將往下的光線引導向上，這樣可同時降低驅動電壓及提高光強。(見圖1)另一方面，圖形化藍寶石襯底(PSS)技術和芯片表面粗糙化技術同樣可以增大LED芯片的出光效率50%以上。PSS結構主要是為了減少光子在器件內全反射而增加出光效率，而芯片表面粗糙化技術可以減少光線從芯片內部發射到芯片外部時在界面處發生反射的光線損失。目前，LED芯片采用倒裝結構和圖形化技術，1W功率芯片白光封裝后，5000K色溫下，光效最高達到134lm/W。