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LED產業關鍵技術及應用市場

放大字體  縮小字體 發布日期:2014-10-21     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數:108
核心提示:

當前半導體照明產業的技術發展目標是徹底解決“兩高一低”的技術問題,即高能效、高質量(含光色質量和可靠性)、低成本的技術。只有很好地解決這些技術問題,才能為人們提供節能、環保、健康、舒適的照明環境。解決"兩高一低"的技術問題,應從產業鏈的主要部分,即襯底、外延、芯片、封裝和應用等方面提出解決方案。

襯底、外延、芯片技術不斷突破

全球外延、芯片企業有142家,我國投產36家,籌建25家。全球現有MOCVD約2800臺,我國有700多臺,投產400臺左右。2011年全球芯片產量820億只,2012年預計將達950億只,芯片產能過剩35%。目前,白光的實驗室光效可達254 lm/W,產業化為140~150 lm/W,最近Cree推出了160lm/W的產品。同時,藍光光效達到300lm/W,紅光光效達240 lm/W,綠光光效達160lm/W。

圖形化襯底(定向、納米)和半極性、非極性襯底方面,通過改進工藝、簡化流程、節省原料、降低成本等取得了很好的成果;同質外延方面,可采用多種方法生產GaN襯底,并在GaN襯底上生長GaN的LED,極大減少了MO源和高純氣體用量,有人預測可降低成本50%。

在8英寸的Si襯底上生長GaN,全球有多家公司已投入研發,由于可用現有多余的生產設備、簡化工藝流程,將大幅度降低成本。同時,Aixtron推出以Si為襯底的外延爐,可嚴格控制彎曲度,均勻一致生產。這無疑將推動在8英寸的Si襯底上生長外延的進程,并可大幅度降低成本。

日本礙子公司的新外延技術由于大量減少位錯密度,極大提高了LED性能指標,取得了突破性進展。

在芯片結構方面,已出現多種新結構,較典型的是六面體發光芯片,并采用多面表面粗化技術,減少界面反射,提高光萃取率,從而提高外量子效率。三星公司采用納米級的六角棱錐結構技術做出的LED,可實現半極性、非極性生長GaN,散熱好、晶體質量好,實現了多色光的白光LED,取得突破性進展。

據有關報道,綜合來看,許多外延、芯片的重大技術創新,大部分是針對提高性能和降低成本的關鍵技術問題,所以有機構專家分析預測,未來10年外延成本將以每年25%的速率降低。

綜上,由于GaN外延、芯片技術的不斷突破,采用不同襯底、新結構和納米級技術等,可生長低位錯的GaN,并做出高光效LED。在沒有波長轉換時,其光效可超過300lm/W(理論值可達400lm/W);采用熒光粉波長轉換時,光效可超過200lm/W(理論值可達263lm/W),還可開拓單芯片發多色的新技術路線。同時,采用新技術和大圓片技術生長外延,可大幅度降低外延、芯片的制作成本。

模塊化標準封裝成發展方向

我國LED封裝技術近幾年取得很大進展,總體封裝水平與國外相差很小,甚至相當,但關鍵封裝材料還要進口。2011年,全球封裝器件產值為125億美元,增長率為9.8%,另有報道產值為112億美元和137.8億美元,但是由于這些機構對中國封裝產業估算不足(小于10億美元),所以全球封裝產值實際應該是160億美元左右。世界排名前十的封裝企業為日亞、三星、歐司朗、LG、首爾半導體、科銳、飛利浦、夏普、豐田合成、億光等,占全球市場68%。我國封裝器件產值約250億元,產值在1億元以上的企業超過40家,器件光效為120~130lm/W,采用進口芯片,可達140~150lm/W。

為提高出光效率、封裝可靠性及降低成本,業界采用SMC復合材料、DMS高導材料、各種陶瓷材料、熒光粉涂覆工藝以及新的封裝結構等,均取得很大進展。

新型熒光粉、石墨烯散熱、量子點等新技術不斷涌現。我國自主創新的多種COB新結構具有很多優點,并可降低10%~30%的成本。目前,COB光效已可達130~150lm/W。

同時,將芯片、驅動、控制部分、散熱、零件等封裝在一起形成模塊,進行標準化生產的模塊化標準封裝LED產品成為半導體照明光源的發展方向。Zhaga聯盟已為此制定十多項標準草案,主要是光引擎界面接口標準,包含物理尺寸、光學、電氣和熱特性等。

有專家預測,由于采用直接共晶焊接和模塊化標準封裝技術,再過5~10年,將不再需要LED封裝企業專門封裝LED照明器件,而是由照明企業一起封裝及組裝。

據有關報道,由于外延、芯片大幅度降低成本,封裝采用新技術,也會進一步降低成本。所以有機構預測,近幾年LED器件價格將以平均20%的速率降低。

綜上,封裝技術采用新結構、新工藝和納米級技術等,取得了突破性進展,將來有可能采用替代熒光粉的封裝技術,在照明領域采用模塊化封裝,不需要對LED單獨封裝,不同應用場合可能采用不同封裝技術的產品。因此器件成本將大幅度下降,企業要有承受能力。

照明應用市場前景看好

隨著LED性能的不斷提高,LED照明應用的范圍不斷拓展,促進了半導體照明產業的快速發展。2012年全球照明總產值為1400億美元,其中LED照明占11%,為154億美元。2011年我國LED照明燈具產量為1.8億只,其中球泡燈占47.4%、射燈占22.8%、直管燈12.1%、筒燈7.3%。2012年前三季度LED燈具出口增長40%,市場前景看好。

能效方面,雖然目前理論值可達56%,但實際總能效只有20%~30%。要實現總能效達50%以上,需解決的技術問題還很多,難度也很大。壽命方面,LED芯片壽命可達幾十萬小時,器件可達5

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