賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級結技術，針對可再生能源、工業、照明、電信、消費和計算市場中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標。

今天推出的器件使E系列的器件總數達到26個。所有E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現極低的傳導和開關損耗，可在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體制造設備、適配器和太陽能逆變器等高功率、高性能開關電源中節省能源。

器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設計，通過100%的UIS測試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。

器件規格表：

編號

V(BR)DSS (V)

ID @ 25C(A)

RDS(ON) max.@ Vgs = 10 V (m?)

Qg typ@ Vgs = 10V (nC)

封裝

樣品

SiHP6N65E

650

6

600

21

TO220

已發布

SiHF6N65E

650

6

600

21

TO220F

已發布

SiHB6N65E

650

6

600

21

TO263 (D2PAK)

已發布

SiHD6N65E

650

6

600

21

TO252 (DPAK)

已發布

SiHU6N65E

650

6

600

21

TO251 (IPAK)

已發布

SiHP12N65E

650

12

380

33

TO220

可供貨

SiHB12N65E

650

12

380

33

TO263 (D2PAK)

可供貨

SiHF12N65E

650

12

380

33

TO220F

可供貨

SiHP15N65E

650

15

280

44

TO220

已發布

SiHB15N65E

650

15

280

44

TO263 (D2PAK)

已發布

SiHF15N65E

650

15

280

44

TO220F

已發布

SiHP22N65E

650

22

180

65

TO220

已發布

SiHF22N65E

650

22

180

65

TO220F

已發布

SiHB22N65E

650

22

180

65

TO263 (D2PAK)

已發布

SiHG22N65E

650

22

180

65

TO247AC

已發布

SiHP24N65E

650

24

150

83

TO220

已發布

SiHB24N65E

650

24

150

83

TO263 (D2PAK)

已發布

SiHG24N65E

650

24

150

83

TO247AC

已發布

SiHP28N65E

650

28

125

99

TO220

五月

SiHG28N65E

650

28

125

99

TO247AC

五月

SiHW28N65E

650

28

125

99

TO247AD

五月

SiHG47N65E

650

47

70

178

TO247AC

可供貨

SiHW47N65E

650

47

70

178

TO247AD

可供貨

SiHG64N65E

650

65

51

244

TO247AC

五月

SiHW64N65E

650

65

51

244

TO247AD

五月

SiHS105N65E

650

105

30

405

Super TO247

五月

新款功率MOSFET現可提供樣品，量產供貨周期為十六周到十七周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。