領域的市場領先者科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1cm-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創新。

、功率器件和通訊器件產品的生產中，包括發光二級管（LED）、功率轉換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業領先者。科銳LED照明產品的優勢體現在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1,300多項美國專*、2,900多項國際專*和近390項中國專*（以上包括已授權和在審專*），使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED，具有光效高、色點穩、壽命長等優點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件（MOSFETSwitch）的導通電阻小、溫度系數穩、漏電流低、開關時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向恢復電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統。