科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W（當脈寬為100微秒時），功率增益為12dB，漏極效率為 65%，與傳統(tǒng)硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設計（S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間）中得到驗證。與 GaAs和Si技術相比，CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能（低于0.6dB）、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

　　新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配，包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件（2.7 - 2.9GHz / 3.1 - 3.5GHz）以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路（MMIC）。

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