帶IGBT和碳化硅肖特基二極管的功率模塊

高開關頻率并且和提高了輸出功率和效率

賽米控提供混合碳化硅功率模塊如，SEMITRANS和SKiM63/93。將*新的IGBT技術和由領先供應商所提供的SiC（碳化硅）肖特基二極管結合在一起，以提高開關頻率，同時減少功率損耗。

可提供的混合碳化硅功率模塊電流為8A - 450A,電壓為 1200V。涵蓋三相全橋和半橋拓撲結構。

SiC（碳化硅）肖特基續(xù)流二極管所帶來的開關損耗近乎為零, 同時能大大降低IGBT的導通損耗。這些效果可以在同一個模塊封裝里帶來更高的開關頻率，它有效地降低了對如太陽能逆變器、UPS系統或高頻電源的輸出端的濾波要求。而且可實現比標準硅功率模塊更高的輸出功率。

SKM200GB12T4SiC

SiC Modules

SEMITRANS 3 (106x62x31)

Part Number    22892069

Product Status          Sample status

Housing   SEMITRANS 3 (106x62x31)

(LLxBBxHH)      106x62x31

Switches  Half Bridge

VCE in V   1200

ICnom in A        200

Technology       SiC Diode + IGBT 4 (Trench)